
RF二极管,即射频二极管(Radio Frequency Diode),是一种专为高频信号处理设计的半导体器件。与普通二极管不同,它在射频(通常指300 MHz至3 GHz甚至更高)环境下具备优异的响应速度、低寄生电容和高开关性能。
RF二极管利用其单向导电特性,在射频电路中实现信号调制、检波、混频和开关功能。其核心原理是基于PN结或肖特基势垒在高频下的非线性响应行为。当外加电压超过阈值时,二极管导通;反之则截止,从而实现对射频信号的控制。
选择合适的RF二极管需关注以下参数:
• 反向击穿电压(V_RR)
• 正向导通压降(V_F)
• 结电容(C_j)——影响高频性能
• 开关时间(t_on/t_off)
• 功率容量(P_avg, P_peak)
• 封装形式(如SMD、TO-220)
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